Биполярный транзистор 193DT2

Характеристики транзистора 193DT2

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	210 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	85W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/80
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама