Биполярный транзистор 26DB080D
Характеристики транзистора 26DB080D
Структура
|
npn
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база
|
1200 В
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер
|
800 В
|
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база
|
0 В
|
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора
|
37A
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)
|
300W
|
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
|
0
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
|
0
|
Ёмкость коллекторного перехода
|
0 пФ
|
Предельная температура PN-перехода
|
200 °С
|
Корпус транзистора
|
X240
|