Биполярный транзистор 2C3960
Характеристики транзистора 2C3960
Структура
|
npn
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база
|
20 В
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер
|
12 В
|
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база
|
4 В
|
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора
|
50mA
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)
|
400mW
|
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
|
40/200
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
|
1.6GHz
|
Ёмкость коллекторного перехода
|
2.5 пФ
|
Предельная температура PN-перехода
|
200 °С
|
Корпус транзистора
|
LCC3
|