Биполярный транзистор 2C444

Характеристики транзистора 2C444

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	75 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	15 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1.3W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	200MHz
Ёмкость коллекторного перехода	43 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO77

Справочник

Реклама