Биполярный транзистор 2C4957

Характеристики транзистора 2C4957

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1.6GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.4 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	LCC3

Справочник

Реклама