Биполярный транзистор 2G10

Характеристики транзистора 2G10

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	8 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	8 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	120mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	125mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25/85
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	22 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама