Биполярный транзистор 2G138

Характеристики транзистора 2G138

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	14 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	12 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	34T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	6MHz
Ёмкость коллекторного перехода	12 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама