Биполярный транзистор 2G202

Характеристики транзистора 2G202

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	16 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	14 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	140mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3MHz
Ёмкость коллекторного перехода	18 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама