Биполярный транзистор 2G210

Характеристики транзистора 2G210

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	65 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	65 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	6A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	40W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25/90
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	400KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама