Биполярный транзистор 2G271

Характеристики транзистора 2G271

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	240mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	75T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3.1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	10 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама