Биполярный транзистор 2G30

Характеристики транзистора 2G30

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	5 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	5 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	25mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	90mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30/50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3.5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	27 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама