Биполярный транзистор 2G306

Характеристики транзистора 2G306

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	12MHz
Ёмкость коллекторного перехода	15 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама