Биполярный транзистор 2G321

Характеристики транзистора 2G321

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2MHz
Ёмкость коллекторного перехода	50 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама