Биполярный транзистор 2G323
Характеристики транзистора 2G323
Структура
|
pnp
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база
|
16 В
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер
|
16 В
|
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база
|
3 В
|
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора
|
100mA
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)
|
150mW
|
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
|
30MIN
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
|
2MHz
|
Ёмкость коллекторного перехода
|
50 пФ
|
Предельная температура PN-перехода
|
85 °С
|
Корпус транзистора
|
TO5
|