Биполярный транзистор 2G371

Характеристики транзистора 2G371

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	40 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама