Биполярный транзистор 2G413

Характеристики транзистора 2G413

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	25mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	100mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама