Биполярный транзистор 2G417

Характеристики транзистора 2G417

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	100mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	9MHz
Ёмкость коллекторного перехода	8 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама