Биполярный транзистор 2H1255

Характеристики транзистора 2H1255

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/80
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	15 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама