Биполярный транзистор 2N100

Характеристики транзистора 2N100

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	5mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	25mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	50 °С
Корпус транзистора	TO22

Справочник

Реклама