Биполярный транзистор 2N1003

Характеристики транзистора 2N1003

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	0
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	120mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	10MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама