Биполярный транзистор 2N1007

Характеристики транзистора 2N1007

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	15 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	30W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	60KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	95 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама