Биполярный транзистор 2N1012

Характеристики транзистора 2N1012

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	22 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	35 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	0
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3MHz
Ёмкость коллекторного перехода	20 пФ
Предельная температура PN-перехода	180 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама