Биполярный транзистор 2N1015D
Характеристики транзистора 2N1015D
Структура
|
npn
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база
|
200 В
|
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер
|
200 В
|
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база
|
25 В
|
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора
|
7.5A
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)
|
150W
|
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
|
10MIN
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
|
500KHz
|
Ёмкость коллекторного перехода
|
0 пФ
|
Предельная температура PN-перехода
|
150 °С
|
Корпус транзистора
|
MT38-2
|