Биполярный транзистор 2N1016B

Характеристики транзистора 2N1016B

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	100 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	25 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	7.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	10MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	500KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	MT38-2

Справочник

Реклама