Биполярный транзистор 2N1019

Характеристики транзистора 2N1019

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	30 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	10W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	15000T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	90 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама