Биполярный транзистор 2N1032A

Характеристики транзистора 2N1032A

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	25 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	15A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	90W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама