Биполярный транзистор 2N1040-1

Характеристики транзистора 2N1040-1

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	50 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	20W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/60
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	225KHz
Ёмкость коллекторного перехода	200 пФ
Предельная температура PN-перехода	95 °С
Корпус транзистора	TO31

Справочник

Реклама