Биполярный транзистор 2N1047C

Характеристики транзистора 2N1047C

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	80 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	8A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	40W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	12/36
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	8MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO57

Справочник

Реклама