Биполярный транзистор 2N1051

Характеристики транзистора 2N1051

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30/100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	60MHz
Ёмкость коллекторного перехода	7 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO28

Справочник

Реклама