Биполярный транзистор 2N1055

Характеристики транзистора 2N1055

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	100 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	600mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/80
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2MHz
Ёмкость коллекторного перехода	160 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама