Биполярный транзистор 2N1057

Характеристики транзистора 2N1057

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	45 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	240mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	39/40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	80 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама