Биполярный транзистор 2N1058

Характеристики транзистора 2N1058

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	18 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4MHZ
Ёмкость коллекторного перехода	20 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама