Биполярный транзистор 2N1059

Характеристики транзистора 2N1059

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	180mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама