Биполярный транзистор 2N1060

Характеристики транзистора 2N1060

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	250mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	17MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO28

Справочник

Реклама