Биполярный транзистор 2N1065

Характеристики транзистора 2N1065

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	120mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/80
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	20MHz
Ёмкость коллекторного перехода	8 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама