Биполярный транзистор 2N1066

Характеристики транзистора 2N1066

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	120mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/175
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	60MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO33-1

Справочник

Реклама