Биполярный транзистор 2N1067

Характеристики транзистора 2N1067

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	12 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	5W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	15/75
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	750KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO8

Справочник

Реклама