Биполярный транзистор 2N1069

Характеристики транзистора 2N1069

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	45 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	9 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	4A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	50W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	600KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама