Биполярный транзистор 2N1076

Характеристики транзистора 2N1076

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	50 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	250mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	36/88
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	300KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	160 °С
Корпус транзистора	TO9

Справочник

Реклама