Биполярный транзистор 2N1079

Характеристики транзистора 2N1079

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	60W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/80
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO53

Справочник

Реклама