Биполярный транзистор 2N108

Характеристики транзистора 2N108

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	15mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	50mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	80T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	60 °С
Корпус транзистора	R108

Справочник

Реклама