Биполярный транзистор 2N1081

Характеристики транзистора 2N1081

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	750mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	600mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	100 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама