Биполярный транзистор 2N1082

Характеристики транзистора 2N1082

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	2 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	10/50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	17MHz
Ёмкость коллекторного перехода	5 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама