Биполярный транзистор 2N109

Характеристики транзистора 2N109

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	12 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	150mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	165mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	65MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	60 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO40

Справочник

Реклама