Биполярный транзистор 2N1090

Характеристики транзистора 2N1090

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	400mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	120mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3MHz
Ёмкость коллекторного перехода	30 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO9

Справочник

Реклама