Биполярный транзистор 2N1093

Характеристики транзистора 2N1093

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	15 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	250mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4MHz
Ёмкость коллекторного перехода	24 пФ
Предельная температура PN-перехода	95 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама