Биполярный транзистор 2N1104

Характеристики транзистора 2N1104

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	20mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	125mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	45/150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	25MHz
Ёмкость коллекторного перехода	3 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама