Биполярный транзистор 2N1109

Характеристики транзистора 2N1109

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	16 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	5mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	30mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	11MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	15MHz
Ёмкость коллекторного перехода	3 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO22

Справочник

Реклама