Биполярный транзистор 2N1117

Характеристики транзистора 2N1117

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	800mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	5W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4MHz
Ёмкость коллекторного перехода	100 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама