Биполярный транзистор 2N1118

Характеристики транзистора 2N1118

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	15MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	20MHz
Ёмкость коллекторного перехода	12 пФ
Предельная температура PN-перехода	140 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама